技术编号:15739789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种对载置于处理容器内的基板供给气体来进行处理的技术。背景技术作为半导体制造工艺之一,有将反应气体等离子体化来进行蚀刻、成膜处理等的等离子体处理。作为这种等离子体处理装置,已知有专利文献1记载那样的等离子体处理装置,该等离子体处理装置在处理容器内在处理容器的上部侧将处理气体激发来将处理气体等离子体化,将使其通过离子阱部而得到的自由基供给到基板。在等离子体处理中,也有如下方法:当在处理容器内激发处理气体时,例如向天线供给高频电力使得在处理容器内产生感应电场,将供给到处理容器内的处理气体激...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。