技术编号:15739805
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。背景技术在立式的半导体制造装置中,使用将多张衬底在上下保持的保持件将被处理的衬底导入处理室并进行处理。在这种装置中,在衬底支承件的支柱周边处存在对处理结果的影响,成为同一衬底内的品质的偏差、成品率劣化的主要原因之一。例如,现有技术文献1中记载了晶舟柱与晶片的距离近、当成膜时在晶舟表面也成膜的构成的、具有立式炉的半导体制造装置。因此,晶舟周边的气体浓度具有降低的趋势。随着近年来的图案微细化,由上述这样的晶舟引起的气体消耗的影响可能导致衬底品...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。