技术编号：15740672
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年2月16日提交的美国临时申请号62/295,720的优先权和权益，该临时申请通过引用并入本文。技术领域本发明涉及被设计用于跨越低温键合半导体界面传输电荷而不受无意界面阻隔层和缺陷阻碍的结构、提供该结构的方法、以及其中应用这种结构的系统。背景技术半导体晶片的直接键合正成为用于在紧凑的单片单元中组合不同功能的通用技术。最近已经证明，与外延生长相比，特别是不含氧化物的键合提供了质量优异的界面，其中在失配应力的塑性弛豫期间形成的穿透位错经常降低晶格失配的器件层(参见例如，Matth...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。