技术编号：15740876
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例总体上涉及微电子处理领域，并且更具体而言，但并非排他地涉及在衬底中形成冗余过孔结构的方法。背景技术诸如包括芯衬底中的具有导电材料的填充通孔的互连结构之类的互连结构的电气性能可能会受到由在制造这种互连结构时的缺陷造成的互连结构的不期望的电阻率的负面影响。例如，激光蚀刻的通孔可能会具有高的壁粗糙度、尺寸变化的不对称形状以及通孔的顶部和底部直径不对准。这些因素的组合可能在利用导电材料(例如，通过电镀铜)填充通孔以形成互连结构时产生孔隙。孔隙的形成可能导致互连结构的电流承载能力减小。随着封...
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