技术编号:15740936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及静电放电(ESD)保护电路,特别涉及集成有ESD-保护金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可控硅整流器(SCR)结构。【背景技术】很多种类的集成电路(IC)都容易遭受静电放电(ESD)脉冲而发生损坏和故障。发生在工厂里的ESD故障会导致产量降低。当终端用户触摸设备时,ESD故障还可能当场发生。在IC的输入、输出或双向I/O引脚附近已经放置了各种ESD保护结构。这些保护结构大多使用无源器件,例如串联电阻、二极管和厚氧化物晶体管。也有其它ESD结构使用有源晶体管来安全地分流ESD...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。