技术编号:15743163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开中所述实施例内容涉及一种功率放大电路,且特别涉及射频功率放大器。背景技术功率放大器被广泛地使用于许多应用中。一种现有的功率放大器利用NMOS(n-通道金属氧化物半导体)晶体管或PMOS(p-通道金属氧化物半导体)晶体管作为增益装置。增益装置作为共源极放大器。当NMOS(PMOS)晶体管作为共源极放大器时,NMOS(PMOS)晶体管的栅极端耦接至输入电压,NMOS(PMOS)晶体管的源极端连接至地(电源)节点,NMOS(PMOS)晶体管的漏极端通过电感器连接至电源(地)节点。共源极放大器的输...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。