技术编号：15779913
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2013年12月20日提交的美国临时申请No.61/919,251的优先权，将其公开内容在此引入作为参考。背景技术化学机械平坦化(也称为CMP)是这样的技术，其用于对所处理的半导体晶片或其它基材的顶部表面进行平坦化以用于后续步骤或者用来根据材料的位置选择性地移除材料。通常，涉及化学和机械作用这两者。CMP普遍地用在微电子集成电路(IC)制造中。IC是由介电层和导电层组成的多层结构体，此外，对所述多层结构体进行横向(laterally)图案化以便隔离不同...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。