技术编号：15799955
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷及其液相烧结制备方法，属于SiC陶瓷领域。背景技术压敏陶瓷是一种具有非线性伏安特性的陶瓷材料，其电阻率会随着电压的增加而迅速减小，因其良好的压敏特性而常用作浪涌吸收及过压保护元件。碳化硅(SiC)压敏陶瓷性能稳定，不易老化，使用寿命长，运行可靠，结构紧凑体积小，在均流、均能特性方面表现出众。同时碳化硅陶瓷高温稳定性好，力学性能优异，热导率较高，广泛应用于工业生产。近年来随着半导体行业飞速发展，元器件趋于小型化和集成化，在电子设备中由于静电和电磁脉冲而造成的半导体...
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