技术编号：15809690
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体晶圆制造技术领域，具体的说是一种半导体晶圆刻蚀系统。背景技术晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。在晶圆的周围有放置晶圆的平台、支撑晶圆的绝缘体和支撑下电极板的绝缘体以及其他结构，当等离子体接触到绝缘物体时，等离子体中的电子因为质量轻、移动速度快、活动剧烈，大量轻的、活动激烈的、带负电荷的电子附着在绝缘物体上，使绝缘物体带负电，当绝缘物体表面的负电位足够大时，其他带负电的电子...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。