技术编号:15809955
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术半导体装置包括例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tra nsistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件。这样的半导体装置例如作为电力转换装置而使用。以下,使用图9和图10说明这样的半导体装置的一例。图9是现有例的半导体装置的俯视图的一例,图10是现有例的半导体装置的截面图的一例。应予说明,图...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。