技术编号：15810341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。背景技术随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，简称SRAM)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。逻辑的能量效率的任何显著改进通常需要非常低的电源电压(VDD)并同时保持低的漏电流。隧穿场效应晶体管(TFET)是未来领先晶体管的...
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