技术编号：15810402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张在2017年4月13日在美国专利与商标局提出申请的美国临时专利申请第62/485,302号以及在2018年4月12日在美国专利与商标局提出申请的美国专利申请第15/951,626号的权利，所述美国临时专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。技术领域一个或多个实施例涉及利用薄膜沉积技术的衬底处理方法以及通过所述衬底处理方法制成的半导体器件，且更具体来说，涉及用于向三维垂直与非(three-dimensional Vertical NAND，3D VNAND)器件的台阶式结构应用接地焊盘(...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。