技术编号:15810630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅UMOSFET器件的制备方法,尤其是涉及一种(0001)面(硅面)外延的六方相SiC晶圆及其加工方法,以及基于(0001)面外延的六方相SiC晶圆的{100}面和{110}面的新型SiC UMOSFET器件结构及其制备方法,属于微电子电路技术领域。背景技术碳化硅(SiC)是一种多晶型材料,目前使用较多的晶型是三方相、立方相和六方相,六方相常见有2H、4H、6H、8H和10H等,其中研究得最多的4H晶型,参阅图1所示,其主要的晶面有(0001)、(000)、(110)和(100...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。