技术编号:15810819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁场平面溅射靶技术领域,具体为一种真空磁控溅射用新型平面阴极。背景技术真空镀膜技术在微电子、航空航天、机械制造、食品包装等许多领域已广泛应用。磁控溅射镀膜具有低温、高速的特点,可长时间批量化生产,但是现有的平面阴极结构复杂,而且安装不便,并且对装置散热效果不好,使用不便,而且对磁力大小不能进行调节,为人们带来许多不便。发明内容本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种真空磁控溅射用新型平面阴极,结构简单,操作简便,不但使得对装置安装更加方便,而且使得冷却效果更好,并且可以对磁力大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。