技术编号:15811017
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能技术领域,特别是涉及一种太阳能电池片及其制备方法、制备设备和太阳能电池。背景技术目前主流的薄膜太阳能电池的PN结一般由P型的吸收层和N型的缓冲层组成。现有的制备方法是在P型的吸收层上直接形成N型的缓冲层,从而形成薄膜太阳能电池发电所需的PN结,P型的吸收层和N型的缓冲层组成PN结界面。现有的薄膜太阳能电池存在两方面的问题:一方面较厚的缓冲层会产生较多的光吸收损失,影响太阳能电池的光电转换效率;另一方面PN结界面会产生比较多的缺陷态,形成复合中心,导致PN结界面性能较差。发明内容本...
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