技术编号:15811035
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电领域,特别涉及一种发光二极管外延片的制备方法。背景技术发光二极管是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管,具有体积小、寿命长、功耗低等优点,目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。而外延片是制作发光二极管的基础结构,外延片的结构包括衬底及在衬底上生长出的外延层。其中,外延层的结构主要包括:依次生长在衬底上的GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层,有源层通常包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层。而在有源层的生长过程中,为了保证...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。