技术编号：15813440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及光电子技术领域，特别涉及一种电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法。背景技术信息技术是社会发展的主要驱动力之一，在其发展进程中，现代集成电路技术一直保持着超高速度的发展，硅基晶体管的高度集成是现代集成电路技术的基础与核心。为了满足信息时代对数据的计算与处理的更高要求，集成电路按照摩尔定律，通过不断缩小器件特征尺寸，以提高器件的性能，并实现更大规模的集成。随着集成电路技术发展到10纳米技术节点以下，硅集成电路技术在速度、功耗、集成度、可靠性等方面受到一系列基本物理问题和工艺技术的...
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