技术编号:15813445
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种垂直共振腔面射激光结构及制法,尤指一种通过三沟渠结构来降低整体电容与缩短氧化工艺时间的一种垂直共振腔面射激光结构及制法。背景技术垂直共振腔面射激光(Vertical Cavity Surface Emitting Laser;简称VCSEL)是属于发光激光二极管的其中一种,由于其功率与价格较低,主要应用在局域网络方面,且具有「高速」与「低价」的优势。VCSEL发光及检光的原材料一般以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为主,通常采有机金属气相沈积法(MOCVD)制成磊晶圆。与一般...
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