技术编号:15843461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料领域,具体是涉及一种Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列及制备方法。背景技术TiO2无毒、高催化活性、价格低廉,是一种重要的宽带隙半导体材料,然而其较大的带隙和高电子-空穴复合率限制了其应用。利用窄带隙半导体与之复合,可以拓展其吸收光谱,抑制光生电荷的复合,是一种有前景的方法。Bi2S3是带隙1.3eV的n型半导体,是一种很好的光电材料,制备Bi2S3/TiO2复合材料可以拓展材料对太阳光的吸收。现有技术中制备Bi2S3/TiO2复合材料的方法为在FTO表面的TiO2纳米棒阵...
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