技术编号：15859515
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种减少BBO晶体中间包络的方法。背景技术低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程采用缓慢降温，靠流体自然对流生长，自然对流熔体中间的对流特别小，生长出来的晶体中间包络严重。发明内容本发明目的是通过利用高度为坩埚高度三分之一的圆锥体形成特殊温度梯度，增加熔体中心的自然对流，...
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