技术编号:15865251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工技术领域,具体地,涉及一种工艺腔室、半导体加工设备及去气和预清洗的方法。背景技术物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,以下简称PVD)技术是微电子领域常用的加工技术,如,用于加工集成电路中的铜互连层。制作铜互连层主要包括去气、预清洗、Ta(N)沉积以及Cu沉积等步骤,其中,去气步骤是去除晶片等被加工工件上的水蒸气及其它易挥发性杂质。在实施去气步骤时,需要将晶片等被加工工件加热至300℃以上。预清洗步骤的目的是为了在沉积金属薄膜之前,清除晶片表面的污...
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