技术编号：15884735
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。另外，确定了悬架和晶片的相对刚度使得晶片和悬架臂的组件在不同于第一频率的第二频率处以“活塞”型谐振模式振动，从而产生对所述第二频率或频率范围的吸收。该第二频率位于第一频率和第三频率之间，该第三频率是在露天测量时具有其悬架的整个晶片的频率。另外，混合型包括被控制以调节吸收器的声阻抗的线圈。本发明提出了一种吸声壁，其包括多个这样的吸收器，这些吸收器由通过穿孔开口的重复结构制成，每个穿孔都接收这样的晶片。本发明还提出了一种设计和生产这种吸收器或壁的方法。背景技术噪音是噪音污染的重要来源。泡沫等无源降噪...
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