技术编号：15884957
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体蚀刻方法，特别涉及基于ALE(Atomic Layer Etching：原子层蚀刻)法的等离子体蚀刻方法。背景技术通常，在“等离子体蚀刻”中，使用氟碳、惰性气体、氧等作为处理气体，对这些处理气体施加高频电场引起辉光放电，产生等离子体。然后，使等离子体中的反应种与具有蚀刻加工对象的被处理基板进行反应来进行蚀刻。近年来，随着对半导体设备用途的多样化、蚀刻图案的微细化的要求的提高，提出了各种等离子体蚀刻方法。其中，能够以作为埃数量级的原子层级来控制蚀刻形状的原子层蚀刻法(Atomic...
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