技术编号:15885085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含有氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管,例如适用于液晶显示器和有机EL显示器等的显示装置。背景技术非晶氧化物半导体,与通用的非晶硅相比,具有更高的载流子迁移率。另外非晶氧化物半导体光学带隙大,能够以低温成膜。因此,可期待其面向要求大型·高分辨率·高速驱动的划时代显示器、耐热性低的树脂基板等的应用。在各种氧化物半导体之中,例如像专利文献1~3所公开的,众所周知的是由铟、镓、锌和氧构成的In-Ga-Zn-O(IGZO)非晶氧化物半导体。但是,使用上述IGZO非晶氧化物半导体制作...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。