曝光后烘焙装置及晶圆线宽优化方法与流程技术资料下载

技术编号:15927310

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本发明涉及一种集成电路制造技术,尤其涉及一种烘焙装置。背景技术在半导体工艺中,光刻工艺是通过一系列生产步骤将掩模版上图形转移到晶圆上的工艺。一般的光刻工艺要经历在晶圆表面涂底胶、旋涂光刻胶、软烘、对准、曝光、曝光后烘焙、显影、硬烘、检测等工序。随着半导体技术的发展,半导体技术节点不断缩小,对光刻线宽精度提出了更高的要求,光刻线宽精度也是光刻工艺中的一个重要参数。目前的生产步骤中导致光刻线宽精度问题的因素较多,其中曝光后烘焙时热板温度的精度是影响光刻线宽精度问题的重要因素之一。请参阅图1,图1为现...
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