技术编号:15938296
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,具体地,涉及一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备。背景技术半导体工艺通常是在真空环境下进行的。例如:物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)中的磁控溅射工艺一般是在真空腔室中进行的,在该真空腔室中设置有基座,用于承载置于其上的衬底;同时,基座一般具有加热功能,能够对衬底进行加热和温度保持,以达到溅射工艺所需要的温度。常规的PVD工艺要求衬底温度在300℃以下,而AlN PVD工艺则要求衬底温度在600℃以上甚至更高。在高温条件下,...
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