技术编号:15939883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明与半导体基板有关;特别是指一种外延用基板及其制造方法。背景技术一般半导体工艺中,是于一碳化硅或蓝宝石基板的表面进行外延的步骤,以形成一外延层,再于该外延层上制作所需的结构、半导体组件或电路。为满足高功率、高频率的半导体应用领域,半导体组件必须耐受较大的击穿电压并且尽可能的降低来自于基板的漏电流等缺陷问题;例如,绝缘层上硅晶圆(Silicon on Insulator Wafer,SOI Wafer)的使用,即是为了有效降低基板漏电的问题,但在现有SOI结构中,通常会在两层基板之间加入一层氧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。