技术编号：15940361
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体存储器器件技术领域，尤其涉及一种阻变存储器的设计方法及装置。背景技术随着大数据、云计算、物联网等技术的快速发展，全球需要存储和处理的数据不断增长，需要性能更好的存储器来满足快速发展的信息技术对超高密度存储的要求。阻变存储器(RRAM)由于具备较低操作功耗、耐久力好、结构简单、器件面积小等优点而逐渐成为用户青睐的对象。但是，由于阻变存储器的材料种类繁多，影响阻变存储器特性的因素是多样化的，目前在设计阻变存储器时，当前的实验手段和理论方法都不能全面地考虑影响阻变存储器特性的因素，导致...
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