技术编号:15940628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种电子装置及其制造方法,且特别是有关于一种半导体装置及其制造方法。背景技术铜(copper;Cu)具有高导电率、低电阻及低成本的优势,因此,铜常作为薄膜晶体管的源极与漏极的材料之一。然而,铜与其上的膜层的附着(adhesion)不佳时,铜易受外界水气的影响而劣化,进而影响薄膜晶体管的电性。举例而言,源极与漏极的铜层劣化时,薄膜晶体管的漏极电流(ID)与栅极电压(VGS)的关系曲线(I-V curve)会偏移,而造成漏电流。此时,若显示面板采用上述薄膜晶体管作为像素开关,薄膜晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。