技术编号:15940636
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳电子学技术领域,具体涉及一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。背景技术随着传统MOSFET特征尺寸的减小,集成度的提高,器件的工作电压和阈值电压逐渐降低。随之而来的短沟道效应更加明显,漏致势垒降低和源-漏带带隧穿会引起器件的泄漏电流和功耗增大。二维半导体材料由于其原子级的物理厚度可获得理想栅控能力,同时较大的禁带宽度可以获得较小的泄漏电流,从而引起了人们的广泛研究,成为了后硅时代非常有前景的一类半导体材料。对于半导体器件以及电路应用来说,PN结是构成器件的基本单元,那么在二...
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