技术编号:15940640
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种肖特基二极管以及一种肖特基二极管的制作方法。背景技术肖特基二极管通常是高频电子应用的更为理想的选择,由于它们具有高开关速度和低正向(导通状态)压降,其低正向导通能量损耗非常关键。但是直到最近,大多数应用的硅基肖特基二极管都受到了低于100V的工作电压的限制。一直以来,肖特基二极管的反向阻断电压都受到了比200V低得多的电压的限制。这部分是由于当反向阻断能力接近200V时,肖特基二极管的正向压降或正向导通电压将接近PIN二极管的正向压降,使之在应用中的效率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。