技术编号:15940694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料,具体来说是涉及一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用。背景技术宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体材料(一代和二代分别为硅、锗),其带隙大于或等于2.3eV。宽禁带半导体材料一般具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等特点,受到了研究者广泛研究。传统的宽禁带半导体有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等,以及其他II-VI组化合物材料。这类宽禁带材料具有短波吸收、高击穿电压等特点,因此在发光二极管(LEDs)与激光二极管(LDs)领域具有巨大的应用前景。此外,随着近些...
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