技术编号:15940833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法,属于半导体技术领域。背景技术发光二极管(light-emitting diode,LED)因具有高效、节能环保、长寿命、体积小等优点,有望代替传统的白炽灯、荧光灯及气体放电灯成为新一代的照明光源,引起了产业及科研领域的广泛关注。自1962年第一只LED诞生至今,L ED的各方面性能都得到了极大的提升,应用领域也越来越广。目前,LED要真正实现大规模广泛应用,需要进一步提高LED芯片的发光效率。然而商业化的LED发光效率仍然...
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