技术编号:15940877
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种氮化物半导体发光器件,更具体地,涉及一种能够提高光学效率且结构简单的半导体发光器件、该半导体发光器件的制备方法以及包括用来改善电流扩散效应的结构的发光器件。背景技术半导体发光器件(例如氮化物半导体发光器件)一般包括发光结构、第一电极(例如n-电极或n-电极垫)和第二电极(例如p-电极或p-电极垫)。所述发光结构包括第一导电型半导体层(例如n型半导体层)、第二导电型半导体层(例如p型半导体层)以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层。所述第一电极向所述第...
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