技术编号:15967858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体存储器工艺制程,尤其涉及一种半导体存储器。背景技术在半导体存储器的制程中,对于单元接触的结构,如图1所示,在衬底10上形成有源区12、字线11、位线结构13、和浅沟槽隔离结构(STI)14,以构成接触单元开口,在接触单元开口沉积多晶硅16,在多晶硅16上沉积一层氮化硅15,同时刻蚀多晶硅16和氮化硅15,以形成单元接触结构,但是由于多晶硅16和氮化硅15刻蚀速率差异且氮化硅15只沉积在多晶硅16表面,在竖直刻蚀过程中会对多晶硅16侧面造成缺陷,同时在过度刻蚀多晶硅16显露...
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