技术编号:15972479
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造技术领域,特别涉及一种双大马士革结构的制作方法。背景技术随着半导体器件关键尺寸(Critical Dimension,简称CD)的不断缩小,顶层金属层(Top Metal,简称TM)的线宽也随之减少,以适应半导体器件电阻率的要求。而随着顶层金属层线宽的减小,顶层金属层在制备时需要进行刻蚀的难度变得也越来越大。目前业界通常采用通孔先刻蚀(Full VIA first,简称FVF)的双大马士革(Dual-damascene)结构的工艺来制备顶层金属层。在工艺过程中,先刻蚀通孔至...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。