技术编号:15975392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多器件并行测试夹具技术领域,特别是一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。背景技术目前大多数功率半导体器件,如绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),简称MOSFET,均具有十分敏感的温度特性,因此,器件的温度特性测试和评估对其高温应用非常重要。为了能够精准的测试器件的温度特性,必须使...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。