技术编号:16012310
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属半导体器件技术领域,特别涉及一种Ge材料CMOS器件。背景技术自1958年Jack Kilby制作了第一块集成电路后,集成电路产业便遵循着摩尔定律迅猛发展。现在,集成电路在我们生活和国民技术发展中占据着举足轻重的地位。Si基CMOS技术以其输入阻抗高,噪声系数小,低功耗,温度稳定性好,抗辐照能力强,制作工艺简单等优势在集成电路发展中占据着主导地位。在集成电路的发展中,我们所追求的目标是器件速度快,电路面积小,工作频率高。主要的方法就是缩小器件的尺寸,然而,随着器件尺寸的缩小虽然使得其...
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