技术编号:16047434
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2017年5月8日提交的申请号为10-2017-0057541的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。技术领域本发明的示例性实施例涉及一种半导体器件,具体地,涉及一种产生内部电压的半导体器件。背景技术从半导体器件外部提供的电源电压或接地电压的电压电平会随时因噪声或干扰而改变。因此,为了稳定地维持其电压电平,半导体器件使用外部电源电压或接地电压来产生各种电平的内部电压。例如,为了产生核心电压,诸如DRAM(动态随机存取存储器)、NAND闪存和微处理器的半导体器件将参考电压...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。