技术编号：16047974
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于光谱气体传感应用的红外(IR)等离子体设备。特别地，本发明涉及具有定制的光学属性的IR等离子体检测器阵列，但是并不局限于此。背景技术众所周知，在包含薄膜层(用电绝缘层制成)的硅基底上可以制造热IR检测器，所述薄膜层可以通过所述基底的一部分的蚀刻来形成。入射的IR辐射会提升膜的温度-而这可以通过热电堆、电阻器或二极管来测量。例如，Schneeberger等人发表于Proc IEEE Tencon 1995的“Optimized CMOS Infrared Detector Micro...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。