技术编号:16050532
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体领域,更具体地,涉及一种氮化镓晶体管及其制造方法。背景技术与硅、砷化镓等半导体材料相比,宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有更大的禁带宽度(3.4eV)、更强的临界击穿场强以及更高的电子迁移速率,得到了国内外研究者们的广泛关注,在电力电子功率器件以及高频功率器件方面具有巨大的优势和潜力。作为第三代宽禁带半导体的典型代表,氮化镓材料不但具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度大、耐高温、抗辐射以及化学稳定性好等特点,同时由于氮化镓材料的极化效应,可以与铝镓氮等材料形成具有高...
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