技术编号：16050555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种沟槽栅超结器件；本发明还涉及一种沟槽栅超结器件的制造方法。背景技术超结为由形成于半导体衬底中的交替排列的P型薄层也称P型柱(Pillar)和N型薄层也称N型柱组成，利用P型薄层和N型薄层完成匹配形成的耗尽层来提升反向耐压同时保持较小的导通电阻。由于一般超结产品均在600V左右，所以一般都需要采用终端结构，终端结构中终端的场氧化层(FOX)技术使用的较多。多晶硅栅(Gate Poly)需要爬上FOX后再通过栅极总线(Gate bus)连接到栅极衬垫(...
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