技术编号:16050606
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种具有横向肖特基二极管耐压结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管。背景技术氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高、导热性能好、抗辐射和良好的化学稳定性等优异特性,同时氮化镓(GaN)材料可以与铝镓氮(AlGaN)或者铟镓氮(InGaN)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气异质结沟道,因此,氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管特别适用于高压、大功率及高温场合的应用,成为了电力电子应用最具潜力的晶体管之一。图1为现有...
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