技术编号:16052191
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。背景技术以往,具备栅电极与屏蔽电极在平面方向上分离的平面分离型屏蔽栅极构造的半导体装置已被普遍认知(例如,参照专利文献1)。以往的半导体装置900如图15~图18所示,能够通过实施以下方法(以往的半导体装置的制造方法)来进行制造。即,以往的半导体装置900,能够通过实施:(1)半导体基体准备工序(参照图15(a)),准备具有n+型第一半导体层912以及比第一半导体层912更低浓度的n-型第二半导体层914的半导体基体910;(2)第一沟槽形成工序(参...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。