技术编号:16052218
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含有氧化物半导体层的薄膜晶体管。更具体地说,特别是涉及作为顶栅型的薄膜晶体管,适合用于例如液晶显示器和有机EL显示器等的显示装置的薄膜晶体管。背景技术非晶氧化物半导体,与现有的非晶硅薄膜相比,具有更高的载流子浓度,可期待其面向具有大型·高分辨率·高速驱动要求的划时代显示器的应用。另外非晶氧化物半导体,因为光学带隙大,能够以低温成膜,所以能够在树脂基板上成膜,也可期待其应用到轻而透明的显示器上。作为上述氧化物半导体,例如专利文献1~3所示,熟知的是由铟、镓、锌和氧构成的In-Ga-Zn系...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。