技术编号:16093522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种沟槽栅IGBT器件,尤其是一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件,属于IGBT器件的技术领域。背景技术IGBT是功率半导体器件中具有代表性的一类三端器件,因其同时具有高耐压、低导通压降、易驱动、开关速度快等优点,在开关电源、变频调速、逆变器等许多功率领域有重要的应用。IGBT是在同一半导体区建立起双极电流导通机制和MOSFET栅电流控制机制。IGBT在导通和开关过程中均存在着功率损耗,而且其导通损耗、开关损耗以及安全工作区三者之间存在着折衷关系。为了追求最优的IGBT特性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。