技术编号:16093534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法。背景技术以GaN、GaAs等材料为基础,再结合AlGaN、InGaN等材料形成的异质结构器件,由于自发极化与压电极化的存在,在异质结构界面处通常存在高密度、高迁移率的电子,这种特点使得该异质结构适合应用于高频率、大功率电子器件。由于大量高迁移率电子的存在,这种器件在外界没加任何电压偏置的时候,沟道处于导通状态,被称为耗尽型器件。在实际的使用中,考虑到降低静态功耗、实现高速逻辑电路等需要,我们往往还需要使器件在无外...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。