技术编号：16093725
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种高效的二维超晶格异质结光伏器件及其制备。背景技术二维纳米材料已成为新一代高性能纳米材料，是国际前沿研究的核心材料之一。以单层MoS2为例，其电子迁移率在室温下可以达到200cm2/Vs。同时，在获得同样效果的电子运动时，MoS2比Si更轻薄。在稳定状态下耗能比Si晶体管小十万倍。同时MoS2具有直接带隙，使用MoS2制成的发光器件具有优异的的光电性能。同时基于MoS2的柔性特征，器件可弯曲与伸展，由此诞生众多新型应用领域。如果将不同类型的具有各种尺寸和对称性...
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