技术编号：16093766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机电致发光器件技术领域，具体的涉及一种空穴传输层及其制备方法、半导体光电器件及其制备方法，以及量子点发光二极管器件的制作方法。背景技术基于半导体量子点(QDs)发光的量子点发光二极管器件(QLEDs)具有发光效率高、色纯度高以及发光颜色简单可调等优点。近年来，对量子点材料及QLED器件的开发受到了越来越多的关注。与有机发光二极管器件相比较，QLED器件中的发光层由无机纳米粒子组成，目前主流的QLED器件中通常采用的是有机的空穴注入层、有机的空穴传输层、无机的量子点发光层、无机的电子传...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。