技术编号：16109861
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶体硅异质结太阳电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构。背景技术晶体硅异质结太阳电池技术近年来访发展迅速，已有多家公司投入进行大批量产业化生产。其生长中一项关键技术在于透明导电氧化物的材质和制备方法。就目前而言，大部分采用的是ITO薄膜（掺锡氧化铟），但也发展了IWO（掺钨氧化铟）、ITiO（掺钛氧化铟）等材料。但除ITO外其他材料的制备技术，尤其是产业化制备技术一直较为困难，不能很好的满足产品性能和生产产能要求。对于ITiO薄膜的制备，一般是采用磁控溅射法，采用氩气...
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